企业信息

    鹏城半导体技术(深圳)有限公司

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  • 公司认证: 营业执照已认证
  • 企业性质:私营企业
    成立时间:2021
  • 公司地址: 广东省 深圳市 南山区 桃源街道 塘朗社区 留仙大道3370号南山智园崇文园区1号楼
  • 姓名: 戴朝兰
  • 认证: 手机已认证 身份证已认证 微信已绑定

    鹏城半导体 LPCVD设备 HITSemi-LPCVD-200

  • 所属行业:仪器仪表 实验室仪器 特殊实验仪器装置
  • 发布日期:2026-04-13
  • 阅读量:
  • 价格:面议
  • 产品规格:不限
  • 产品数量:不限
  • 包装说明:不限
  • 发货地址:广东深圳南山区桃源街道塘朗社区  
  • 关键词:LPCVD设备厂家,LPCVD,CVD设备,薄膜沉积,独立工艺炉管

    鹏城半导体 LPCVD设备 HITSemi-LPCVD-200详细内容


    LPCVD设备配置一套独立工艺炉管,工艺气体分别配置SiH4/NH3/N2O/N2/Ar,通过真空泵获得低压来实现氮化硅、氧化硅、多晶硅膜层的沉积。
    设备主要应用于科研院校、高校、工矿企业等实验和小批量生产。

    2、3、

    主要特点
    炉膛具有良好的温度均匀性、保证工艺温区。
    控温精度高、保温效果好、温度范围大。
    工艺气路采用VCR连接,密封性好。
    具有正负压显示,炉膛**压保护、**温保护,水流水压水温保护,断偶保护。

    技术参数

    产品型号HITSemi-LPCVD-200
    较高温度1150°C
    工作温度≤1100°C
    管数1~2管(可定制)
    炉管进口石英;φ100mm~φ200mm,长度:1200mm(可定制)
    恒温区长度400mm
    控温段数3段;可以三段单独控制
    升温速率1°C/min~10°C/min可调
    恒温区控温精度±1°C
    测温精度±1%FS
    温控保护具有过温保护,断偶保护,漏电保护(加漏电保护器)等功能
    工件压强范围13Pa~1330Pa
    膜层不均匀性优于≤±5%
    控温模式控温模式:采用30段程序控温智能PID调节,微电脑控制,可编程式控温曲线,*看守(全自动升、降、保温)
    工艺气体SiH4 、NH3 、N2O、N2
    控制形式半自动/全自动
    控制系统PLC+触摸屏
    恒温制冷水箱可选配
    空气压缩机可选配
    注:不含尾气处理系统

    设备工作条件

    供电三相五线制,AC 380V,50Hz
    功率约20KW
    冷却水≤150L/min
    气动部件供气压力0.5MPa~0.7MPa
    质量流量控制器供气压力0.05MPa~0.2MPa
    工作环境温度10℃~40℃
    工作环境湿度≤50%



    关于我们

    鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术*、市场*和产业*的交叉点,寻求创新yin*ling与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。

    鹏城微纳技术(沈阳)有限公司是鹏城半导体技术(深圳)有限公司全资子公司,是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。

    公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造,具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造,可为用户提供工艺研发和打样,可为生产企业提供生产型设备,可为科学研究提供科研设备。

    公司人才团队知识结构完整,有工程师哈工大教授和博士,为核心的高水平材料研究和工艺研究团队,还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。

    公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。

    公司团队技术储备及创新能力

    1998~2002

    -设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延硅基GaN

    -设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机

    2005

    -设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备),用于外延光电半导体材料

    2007

    -设计**高温CVD 和MBE,用于4H晶型SiC外延生长

    -设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)

    2015

    -设计制造了金刚石涂层制备设备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜

    2017

    -优化Rheed设计,开始生产型MBE设计

    -开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备

    2019

    -设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备

    2021

    -鹏城半导体技术(深圳)有限公司成立

    2022

    -子公司鹏城微纳成立

    -热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货

    -获得ISO9001质量管理体系证书

    2023

    -PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关;

    -科技型中小企业-入库编号202344030500018573;

    -创新型中小企业;

    -获50+项知识产权专利;

    -企业信用评价AAA级信用企业;/ISO三体系认证;

    -子公司晶源半导体成立

    2024~2026

    -与jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客户合作取得突破(X *guang*gan*shou板及光电器件的薄膜生长

    -鹏城微纳技术(沈阳)有限公司子公司扩产

    -TGV/TSV/TMV

    -wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层

    -gao*xin*ji*shu企业

    670X376


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    欢迎来到鹏城半导体技术(深圳)有限公司网站, 具体地址是广东省深圳市南山区留仙大道3370号南山智园崇文园区1号楼,联系人是戴朝兰。 主要经营专注微纳技术与高端精密制造,提供薄膜沉积(PVD/CVD)设备及国产化技术解决方案。。 单位注册资金单位注册资金人民币 1000 - 5000 万元。 我们公司主要供应PVD镀膜设备,真空镀膜设备,高能脉冲磁控溅射等产品,我们的产品货真价实,性能可靠,欢迎电话咨询!