供应 鹏城半导体 MBE分子束外延设备

功能特点

本项目于2005年在国内shuai xian完成了成套MBE的全国产化研发设计和制造，做到自主可控。自主设计MBEchao高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、RHEED原位实时在线监控仪、直线型电子qiang、高温束源炉、束源炉电源、高温样品台、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）等he xin部件。
可实现di er代半导体（如shen化镓等）和di三代半导体（如碳化硅和氮化镓）的外延生长。经过十几年的工艺探索， 设备设计不断升级， 已具备设计制造生产型 MBE设备的能力。设备配置合理，结构简单，技术xian jin，性能ke kao，用途多， 实用qiang， 性能价格比gao。

设备组成与主要技术指标
设备的组成
进样室
该室用于样品的进出仓，并配置有多样片储存功能。样品库可放六片基片。
预处理室
该室用于样品在进入外延室之前进行真空等离子剥离式清洗和真空高温除气，及其他前期工艺处理。还用于对外延后的样片进行后工艺处理，如高温退火等等。
外延室
chao高真空洁净真空室，实现分子束外延工艺。

分子束外延薄膜生长设备（MBE）（分子束外延MBE）主要技术指标
进样室
ji xian真空：5.0×10-5Pa
样品装载数量：6片（φ2 英寸～φ4 英寸，带样品载具）
预处理室
ji xian真空：5×10-7Pa
样品台加热温度：室温～ 850℃±1℃（PID 控制）
离子清洗源：Φ60；100 ～ 500eV
外延室